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Feasibility Study of Analogue and Digital Temperature Sensors in Nanoscale CMOS Technologies

机译:纳米CMOS技术中模拟和数字温度传感器的可行性研究

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摘要

The downscaling of CMOS technology gives rise to a myriad of nanoscale effects. At the same time, power density and thus heat generation increases. The aim of this paper is to evaluate the feasibility of both analogue and digital temperature sensors in nanoscale CMOS using the Berkeley Predictive Technology Model (BPTM) for 65nm. For the oscillator-based digital sensor presented, a sensitivity of 1.86MHz/{degree sign}C is achieved. The analogue sensor achieves a sensitivity of 1.7mV/{degree sign}C.
机译:CMOS技术的缩小规模带来了无数的纳米级效应。同时,功率密度以及因此产生的热量增加。本文的目的是使用65nm的伯克利预测技术模型(BPTM)评估模拟和数字温度传感器在纳米CMOS中的可行性。对于提出的基于振荡器的数字传感器,实现了1.86MHz /°C的灵敏度。模拟传感器的灵敏度为1.7mV /°C。

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